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“快恢复二极管MUR10005CTR原装现货技术参数价格资料”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | rosh |
| 类型： | 共阴双管 | 安装方式： | 直插型 |
| 封装形式： | 塑料封装 | 应用： | 整流 |
| 品牌： | GeneSiC Semiconducto | 是否进口： | 是 |
| 型号： | MUR10005CTR | 规格： | 1 |
| 商标： | GeneSiC Semiconducto | 包装： | 盒装 |
“快恢复二极管MUR10005CTR原装现货技术参数价格资料”详细介绍
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。
快恢复二极管MUR10005CTR原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: GeneSiC Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Module
Vr - 反向电压 : 50 V
If - 正向电流: 100 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
Vf - 正向电压: 1.3 V
最大浪涌电流: 400 A
Ir - 反向电流 : 25 uA
系列: MUR100
封装: Bulk
商标: GeneSiC Semiconductor
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 25
序号 参数名称 数值 测试条件
1 正向平均电流IF(AV) 40A~500A 正弦半波电流，阻性负载，T=85℃
2 反向重复峰值电压Vrrm 200V ~1200V TI=150℃或25℃或25°C
3 反向重复峰值电流IRRM ≤10mA TI=150℃或25℃或25°C，加Vrrm
4 正向峰值电压VFM 1.2~2.0A IFM=IFAV，Tj=25℃
5 正向方均根电流IFRMS 60~750A
6 正向非重复浪涌电流IFSM 620~7200A 10ms，Tj=45℃，VR=0.5
7 反向恢复时间tr 0.04~0.8µs Tj=25℃,IF=20~300A,di/dt=200A/µs
8 反向恢复峰值电流IRM 15~130A(典型值) Tj=25℃,IF=20~300A,di/dt=200A/µs
9 模块任一接线端子对铜底板的绝缘耐压V ≥2.5kV A.C.50H z,1分钟，所有端子短路对铜底板
注意事项
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
关于更多快恢复二极管的相关信息请进入我司网站查看：http://www.highfel.com/
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。
快恢复二极管MUR10005CTR原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: GeneSiC Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Module
Vr - 反向电压 : 50 V
If - 正向电流: 100 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
Vf - 正向电压: 1.3 V
最大浪涌电流: 400 A
Ir - 反向电流 : 25 uA
系列: MUR100
封装: Bulk
商标: GeneSiC Semiconductor
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 25
序号 参数名称 数值 测试条件
1 正向平均电流IF(AV) 40A~500A 正弦半波电流，阻性负载，T=85℃
2 反向重复峰值电压Vrrm 200V ~1200V TI=150℃或25℃或25°C
3 反向重复峰值电流IRRM ≤10mA TI=150℃或25℃或25°C，加Vrrm
4 正向峰值电压VFM 1.2~2.0A IFM=IFAV，Tj=25℃
5 正向方均根电流IFRMS 60~750A
6 正向非重复浪涌电流IFSM 620~7200A 10ms，Tj=45℃，VR=0.5
7 反向恢复时间tr 0.04~0.8µs Tj=25℃,IF=20~300A,di/dt=200A/µs
8 反向恢复峰值电流IRM 15~130A(典型值) Tj=25℃,IF=20~300A,di/dt=200A/µs
9 模块任一接线端子对铜底板的绝缘耐压V ≥2.5kV A.C.50H z,1分钟，所有端子短路对铜底板
注意事项
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
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