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“MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH”参数说明
| 功能结构： | 模拟集成电路 | 封装： | SMD |
| 制作工艺： | 半导体集成电路 | 导电类型： | 双极型 |
| 外形： | 扁平型 | 集成度高低： | 中规模集成电路 |
| 应用领域： | 标准通用 | 型号： | Mt29f16g08cbaba l72 |
| 规格： | Mt29f16g08cbaca l72 | 商标： | Micron |
| 包装： | 960/包 | 销售方式： | 现货 |
“MICRON美光MT29F16G08CBABAWP原装NAND FLASH”详细介绍
特性联系工厂部分的可用性打开（ONFI）2.2-compliant1NAND闪存接口多层细胞（多层陶瓷）技术组织页面大小的混合体：4320字节（4096＋24字节）块大小：256页（1024k＋56k字节）飞机大小：2×1024块每架飞机设备大小：16gb：2048块同步I/O性能同步定时模式可长达5-时钟速度：10ns（DDR）（指/写吞吐量/销：20吨/s异步I/O性能异步时序模式可长达5基体/tWC：20ns（分钟）阵列的性能——阅读页面：75μs（MAX）项目页面：130μs（TYP）擦除块：3（TYP）女士工作电压范围vc：2.7--3.6v-VCCQ：1.7--1.95v，2.7--3.6v命令集：ONFINAND闪存的协议先进的命令集程序缓存（指缓存顺序（指缓存随机一次可编程（OTP）模式多面命令-Multi-LUN操作（指惟一的ID-Copyback第一块（块地址0h）从factory2ship-ped时是有效的重置（FFh）需要开机后第一个命令操作状态字节提供软件方法fordetecting：操作完成通过/失败条件写保护状态数据选通（DQ）信号提供一个硬件synchronousinterfaceDQ数据同步的方法在planefromCopyback操作支持读取数据工作温度：——商业：0摄氏度到＋70摄氏度死的轮廓模具尺寸（步进距离）：6.4380毫米x8.83905m债券垫位置和标识，看到债券PadLocations和识别（5页）一般的物理规格名义上的晶片厚度：790μm25±μm典型bond-pad金属厚度：17.7k典型的干舷钝化：4k氮氧化物over10.5k氧化硅烷金属化成分：3kPd超过10kNiover3k铜选项接口：——异步——同步标记MT29F16G08CBACAMT29F16G08CBECB形式：晶片3w测试：标准探测器C1
