“硅片回收 苏州文威硅片电池片回收”参数说明
是否有现货: | 是 | 认证: | CCC |
种类: | 苏州文威 | 型号: | 3.9 |
规格: | 156.156 | 商标: | 苏州文威 |
包装: | 60 | 产量: | 20000 |
“硅片回收 苏州文威硅片电池片回收”详细介绍
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“硅”是我们这个星球上储藏最丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。20世纪末,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。折叠生产过程硅片回收 苏州文威硅片电池片回收
生产过程大致可分为五个步骤:a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d、制电池过程 e、封装过程。以单晶硅为例,其生产过程可分为:工序一,硅片清洗制绒目的——表面处理:清除表面油污和金属杂质;去除硅片表面的切割损坏层;在硅片表面制作绒面,形成减反射织构,降低表面反射率;利用Si在稀NaOH溶液中的各向异性腐蚀,在硅片表面形成3-6 微米的金字塔结构,这样光照在硅片表面便会经过多次反射和折射,增加了对光的吸收;工序二,扩散硅片的单/双面液态源磷扩散,制作N型发射极区,以形成光电转换的基本结构:PN结。POCl3 液态分子在N2 载气的携带下进入炉管,在高温下经过一系列化学反应磷原子被置换,并扩散进入硅片表面,激活形成N型掺杂,与P型衬底形成PN结。主要的化学反应式如下:POCl3 + O2 → P2O5 + Cl2 P2O5 + Si → SiO2 + P工序三,等离子刻边去除扩散后硅片周边形成的短路环;工序四,去除磷硅玻璃去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃(磷硅玻璃是指掺有P2O5的SiO2层)。工序五,PECVD目的——减反射+钝化:PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;制作减少硅片表面反射的SiN 薄膜(~80nm);SiN 薄膜中含有大量的氢离子,氢离子注入到硅片中,达到表面钝化和体钝化的目的,有效降低了载流子的复合,提高了电池的短路电流和开路电压。硅片回收 苏州文威硅片电池片回收工艺原理:硅烷与氨气反应生成SiN 淀积在硅片表面形成减反射膜。
“硅”是我们这个星球上储藏最丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。20世纪末,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。折叠生产过程硅片回收 苏州文威硅片电池片回收
生产过程大致可分为五个步骤:a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d、制电池过程 e、封装过程。以单晶硅为例,其生产过程可分为:工序一,硅片清洗制绒目的——表面处理:清除表面油污和金属杂质;去除硅片表面的切割损坏层;在硅片表面制作绒面,形成减反射织构,降低表面反射率;利用Si在稀NaOH溶液中的各向异性腐蚀,在硅片表面形成3-6 微米的金字塔结构,这样光照在硅片表面便会经过多次反射和折射,增加了对光的吸收;工序二,扩散硅片的单/双面液态源磷扩散,制作N型发射极区,以形成光电转换的基本结构:PN结。POCl3 液态分子在N2 载气的携带下进入炉管,在高温下经过一系列化学反应磷原子被置换,并扩散进入硅片表面,激活形成N型掺杂,与P型衬底形成PN结。主要的化学反应式如下:POCl3 + O2 → P2O5 + Cl2 P2O5 + Si → SiO2 + P工序三,等离子刻边去除扩散后硅片周边形成的短路环;工序四,去除磷硅玻璃去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃(磷硅玻璃是指掺有P2O5的SiO2层)。工序五,PECVD目的——减反射+钝化:PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;制作减少硅片表面反射的SiN 薄膜(~80nm);SiN 薄膜中含有大量的氢离子,氢离子注入到硅片中,达到表面钝化和体钝化的目的,有效降低了载流子的复合,提高了电池的短路电流和开路电压。硅片回收 苏州文威硅片电池片回收工艺原理:硅烷与氨气反应生成SiN 淀积在硅片表面形成减反射膜。